晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
臺灣加高晶體 H.ELE -
進口京瓷晶體 KYOCERA -
日本NDK晶體 進口NDK晶體 -
日本大河晶體 RIVER -
美國CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺灣希華晶體 臺灣希華 -
臺灣鴻星晶體 HOSONIC -
臺灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國進口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會社晶振 -
AKER晶振 臺灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek貼片晶體 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蝕晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT進口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒溫晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶體振蕩器 -
維管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶體 -
康納溫菲爾德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振蕩器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可編碼振蕩器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
AEL晶振 AEL CRYSTAL -
Cardinal晶振 Cardinal貼片晶體 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
Fox晶振 Fox有源晶振 -
Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶體 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶體諧振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶體 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英貼片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 進口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶體諧振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器 -
NIC晶振 NIC Crystal -
QVS晶振 QVS CRYSTAL -
Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
GED晶振 GED CRYSTAL -
FILTRONETICS晶振 FILTRONETICS CRYSTAL -
Standard晶振 Standard Crystal -
Q-Tech晶振 美國Q-Tech晶振 -
Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美國NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷蘭晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業提供和設計波段頻率控制設備和微波無線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國的一些知名品牌零部件.我們致力于發展與計算機,IT和無線通信公司無任何界限的信息時代.我們秉承經營者的踏實,誠懇的態度,互惠互利的精神,實現共贏的目標,以誠信為本,誠信為本,公平交易為宗旨,以誠信,勤勉,誠信,精神質量第一,客戶滿意的經營理念,將以優良的產品質量,優惠的價格,優質的服務與您建立長期穩定的合作關系,共創輝煌事業.
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進口晶振
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壓控溫補晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數碼產品
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醫療產品
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汽車產品
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移動產品
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智能家居
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網絡設備
- 規格型號：11577488
- 頻率：9.840MHZ-50.000MHZ
- 尺寸：3.2*2.5*075mm 詳細資料請查看PDF
- 產品描述：廣泛應用于照相機,藍牙耳機,音響,平板電腦,錄像機,收錄機,無線充電等小型化電子數碼產品。
NDK晶振,貼片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英諧振器
NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器
參數:頻率范圍9.840MHZ-50.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max. 200μW )
負載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 +/-20ppm
等效串聯電阻：Refer to*1
尺寸：小型化薄款3.2*2.5*0.75
應用：汽車電子領域,無線電話，筆記本電腦，鍵盤鼠標，智能手機，衛星導航等產品。
日本于2015年6月制定了公司治理準則，由此我們NDK迎來了兩位外部董事。加大強化相關經營監察機能、遵守法律，確保說明責任，迅速且適當地公布信息，履行環境保全等的社會責任，而從使我們能繼續成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業。
在ADAS（先進駕駛輔助系統）所使用的車載相機和倒車雷達、遠程信息處理等用途，晶體元器件的需求也呈現增加的趨勢。因此，我們會開發TCXO（溫補振蕩器）、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車載用高信賴性產品并擴大其銷售。
NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器，從前面的料號可看出這是一款3.2*2.5*0.75mm體積非常小的石英貼片晶振，并且有著四個腳表面陶瓷封裝的石英晶體，壓電陶瓷的用料可有效的控制溫度，在氣溫忽大忽小的時候能將溫度控制在標準的精度之內，擁有優良的耐高溫特性，所以NX3225GA晶振常常用于汽車電子開發領域，所以也叫汽車電子用晶振。
| NDK晶振型號 | NX3225GA晶振,進口貼片晶振 |
| 頻率范圍 | 9.840MHZ~50MHZ |
| 頻率公差(25℃) | ±20 ppm的，可指定 |
| 頻率穩定度超過工作溫度范圍 | ±30 ppm的，可指定 |
| 操作溫度范圍 | -40-+ 85℃，可指定 |
| 并聯電容CO | 5pF Max. |
| 驅動電平 | 1-200μW（μW100典型） |
| 負載電容 | 8 pF,可指定 |
| 老化（25℃） | ±3 ppm /年最大。 |
| 存儲溫度范圍 | -40-+85℃ |
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1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸石英晶振的表面。
2.使用環境（溫度和濕度）
請在規定的溫度范圍內使用產品。這個溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
3.激勵功率
在石英晶體諧振器上施加過多驅動力，會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節內容）。
4.負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。
5.負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。
1. 驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2.Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
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2. 振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發生振蕩。為避免該情況發生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
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3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
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頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
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